晶片专业术语

硅热氧化層专业术语

晶片专业术语

P型晶片：采用硼作为主要掺杂剂。根据掺杂剂含量分为P+或P-型。P型晶片有100或111个晶向。111晶向晶片通常用在双极元器件中。
N型晶片：采用磷、锑或砷作为主要掺杂剂。根据掺杂剂含量分为N+或N-型。最常见的N型晶片掺入锑或磷。以磷作为掺杂剂的晶片最常用在高级CMOS元件制作中。
掺杂剂：导电过程中贡献出电子的成分，因此能够改变晶片传导性。硅晶片的掺杂剂为化学元素周期表的III族和V族元素。
厚度全变差（TTV）：晶片最厚点和最薄点之间的绝对差值。
弓形度：中心点处晶片中间面的凹进或凸起变形情况的量度标准，与任何厚度变化无关。
翘曲度：以一个确定的基准面为参照，晶片中间面的最大值和最小值间的差值。
整体指示读数（GTIR）：以一确定的基准面为参照测得的晶片表面最大峰谷差值。
局部指示读数（STIR）：晶片平面度的局部测量值。
电阻率：电荷载体在晶片中移动时难易程度的量度。
主參考面：晶片上最长的平面。通常用于加工设备上确定晶片方向。
次參考面：晶片上稍短的平面。常用于确定晶片的类型和晶向。
颗粒物：晶片表面多余的杂质。颗粒物的常用术语为轻质点缺陷（LPDs）。通过测定特定晶片表面积上颗粒物总数来衡量颗粒物水平。

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